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南瑞IGBT模块
发布时间:2024-03-04

南瑞IGBT模块型号

型号

参数

型号

参数

NI450B12E6K4

450A/1200V

NI450TN12A3F5_Si3N4

450A/1200V

NI600B12E6K4_D2

600A/1200V

NI1200S45H4K1

1200A/4500V

NI900B12E6K7_G1

900A/1200V

NI800S45H3K1

800A/4500V

NI450B17E6K4 

450A/1700V

NI1500S33H2K1

1500A/3300V

NI600B17E6K4

600A/1700V

NI1000S33H1K1

1000A/3300V

NI900B17E6K7

900A/1700V

NI3600S17H2K1

3600A/1700V

NI450TN12A3F5

450A/1200V



        南瑞SIC MOS模块

型号

参数

型号

参数

NCM45S17T3K1

45mΩ/1700V

NCM40S12T3K2

40mΩ/1200V

NCM40S12T4K2

40mΩ/1200V

NCM32S12T4K2

30mΩ/1200V


南瑞半导体有限公司成立于2019年,总部位于南京市,致力于功率半导体技术研究、应用及产业化发展,实现电网领域核心功率半导体器件自主可控,保障国家能源安全。公司汇聚了国内外一流的功率半导体研发及管理团队,可提供从芯片设计、流片工艺开发、封装测试、器件应用到电力电子技术服务的全链条解决方案。目前IGBT模块最大功率做到3000A/4500V,5000A/4500V和3000A/6500V正在研发中。产品已广泛应用于高压柔性输电、电能质量治理、特种电源、工业传动、风力发电、光伏发电、新型储能、制氢电源、充电设施和新能源汽车等领域。武汉新瑞科为其指定代理商。可提供专业模块选型服务,欢迎来电咨询。



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